微纳器件与信息系统创新引智基地研究成果被《Semiconductor Today》进行专栏报道
发布时间: 2017-11-22 访问次数: 13

  近日,我校微纳器件与信息系统创新引智基地和中国郑州大学合作发明的研究成果被半导体科学期刊《Semiconductor Today》进行了专栏报道。
  我基地施政老师等人利用硅基氮化镓工艺制备了能同时实现发光与探测的可转移量子阱 (MQW) 器件。通过设计支撑臂结构,可用探针将该量子阱器件机械剥离后转移到聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板上。

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(A) 硅基MQW器件制备和转移示意图; (B) 转移到PET衬底的MQW器件; (C) 转移到玻璃基板的MQW器件; (D) 玻璃基板上的MQW器件发光图。

  该量子阱器件尺寸位于毫米级,可实现单片集成光源、光波导、光调制器和光电探测器,为全双工可见光通信提供了可能。研究人员认为,与有机发光二极管相比,氮化镓基二极管具有更高的效率,可靠性和长期稳定性。
  《Semiconductor Today》是总部位于英国具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名杂志。专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态。

  论文链接: http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2017.05.039